sp;“.我们在晶圆光刻胶上方加了一层，利用这层介质把光源的波长缩短到了150nm以内。因此在不改变光刻机波长情况下，变相扩大了NA，使得193nm波长的能等效出150nm以内的波长！”
“同时因为业内大量的芯片制造厂商们，他们会在一个大的硅片上生产大量不同的芯片，浸润式光刻法可以避免高掩模成本.”
林本坚在台上通过一些图片和实验结果来展示浸润式光刻机的优越性，讲的非常枯燥乏味，大量的技术内容掺杂着寥寥数笔浸润式光刻机的技术优势。
即便如此，台下来自半导体不同环节的企业代表们没有一个走神，大家都在全神贯注的听着新芯的技术路线。
“我就说浸润式可行，我们不应该在干式光刻机上再投入资金了。
浸润式光刻机才是未来。
我们继续沿着尼康和佳能的技术优势路线投入，那么我们永远都不会有超过佳能和尼康的机会。
而新芯有这样的自信，所以他们短短数年时间，就顺利实现了超越。”
“现在的问题是新芯已经率先在浸润式光刻机上实现了突破，一是他们实现了突破，一步慢，步步慢。
我们拿出类似的浸没式光刻机最快也要一年时间。
一旦新芯把关键技术注册了专利，一年时间都不够，三到五年都是完全有可能的。
推出新设备之后，需要用1到3年的时间由厂商通力配合适应，新芯比你早量产就比你多了时间去改善问题和提高良率，这会让我们更加难以超越，一步落后，步步落后。
现在再去走浸润式，我怎么感觉死的更快呢？”
ASML的技术专家们很懊悔，曾经他们有机会走浸润式光刻机路线，但是这个机会被他们内部的决策给亲自否了，业内没有一家走这个技术路线，凭什么他们能走通？
新芯和蔡司配合研发浸润式光刻机的消息传到ASML的耳中时，他们早就确定技术研发方向了。
“没有办法，我们只能把这几年的市场拱手相让，让给新芯，等到EUV的时候再翻盘。
这是唯一的办法了。”
“唉，我们真的还有钱烧这么多年吗？
换句话说，如果在EUV光刻机上，新芯又比我们先完成研发怎么办？”
“不可能，绝对不可能，我们连原型机都已经研发出来了，新芯没有参与EUV LLC的前期论证，华国国家层面压根没有投入到这一块的研发中去过。
Newman再厉害他也不可能改变物理世界的规则，如果是互联网世界，我相信Newman也许能做到。”
EUV也就是极紫外光光刻机，极紫外光的波长只有13.5nm，此时ASML的实验室已经有世界上第一台EUV的原型机了。
在看到新芯已经突破40nm，ASML的技术专家们把希望放在了EUV上，他们认为EUV将让这场竞争彻底失去悬念。
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